金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN120152266A，申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法。所述制造方法包括：提供衬底和位于所述衬底上的叠层结构